霍尔离子源

霍尔离子源eH2000eH30001978 年考夫曼博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源 和霍尔离子源 . 美国考夫曼离子源历经 40余年沉淀及发展已得到客户的极大认可。离子源广泛用于离子清洗, 离子蚀刻, 辅助镀膜, 离子溅射沉积领域

霍尔离子源eH2000eH3000技术参数：

KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列

eH 系列霍尔离子源结构紧凑, 束流大、能量低，辐照面积大,可以有效地以纳米精度来处理薄膜及表面, 为工艺过程提供辅助镀膜，预清洗等多种功能，丰富的型号满足科研、工业等多种应用，具有

如下特点：

无栅网

高电流低能量

发散光束 >45度

可快速更换阳极模块

多种中和器可选择

美国 KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列

美国 KRI 考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 系列包含多种不同尺寸的离子源，满足各类应用. 考夫曼离子源 KDC 提供一套完整的方案，包含考夫曼离子源, 电子中和器, 电源供应器等等，可以直接整合在各类真空设备中, 例如实验室小型研发, 镀膜机, load lock, 溅射系统, 卷绕镀膜机和线性镀膜.

KRI 射频离子源 Gridded RFICP 系列

射频离子源 RFICP 系列，通过射频线圈产生等离子体, 由栅网控制离子束的能量和方向, 是制造精密薄膜和表面处理的得力工具, 有效改善膜层致密性、光透射、均匀性、附着力等，为工艺提供稳定支持。

RFICP系列提供完整的产品组合, 包含离子源, 电子供应器, 中和器, 电源控制等